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InGaAs APD モジュール

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えたインジウムガリウムヒ素アバランシェフォトダイオードモジュールです。

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四象限 APD

これは、UV から NIR までの高感度を提供する Si アバランシェフォトダイオードの 4 つの同じユニットで構成されています。ピーク応答波長は 980nm です。応答性: 1064 nm で 40 A/W。

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4 象限 APD モジュール

これは、微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子 - 光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えた同じ 4 つの Si アバランシェフォトダイオードで構成されています。

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850nm Si PINモジュール

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路付き850nm Si PINフォトダイオードモジュールです。

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900nm Si PINフォトダイオード

逆バイアス下で動作し、UVからNIRまで高感度を提供するSi PINフォトダイオードです。ピーク応答波長は 930nm です。

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1064nm Si PINフォトダイオード

逆バイアス下で動作し、UVからNIRまで高感度を提供するSi PINフォトダイオードです。ピーク応答波長は 980nm です。応答性: 1064 nm で 0.3 A/W。

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ファイバー Si PIN モジュール

光信号を光ファイバーに入力することで電流信号に変換します。Si PINモジュールは、微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子 - 光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えています。

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四象限 Si PIN

これは、逆方向で動作し、UV から NIR までの高感度を提供する Si PIN フォトダイオードの 4 つの同じユニットで構成されています。ピーク応答波長は 980nm です。応答性: 1064 nm で 0.5 A/W。

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四象限 Si PIN モジュール

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子-光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えた、シングルまたはダブルの4つの同じSi PINフォトダイオードで構成されています。

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UV強化Si PIN

紫外域から近赤外域まで高感度を実現し、逆光で動作する紫外域を強化したSi PINフォトダイオードです。ピーク応答波長は 800nm です。応答性: 340 nm で 0.15 A/W。

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1064nm YAGレーザー -15mJ-5

これはパッシブ Q スイッチ Nd: YAG レーザーで、波長 1064nm、ピーク出力 ≥15mJ、パルス繰り返し率 1~5hz (調整可能)、発散角 ≤8mrad です。さらに、小型で軽量のレーザーであり、高エネルギー出力を実現できるため、個々の戦闘や UAV が一部のシナリオに適用されるなど、体積と重量に厳格な要件がある一部のシナリオでは、理想的な距離の光源となる可能性があります。

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1064nm YAGレーザー-15mJ-20

波長1064nm、ピークパワー≧15mJ、発散角≦8mradのパッシブQスイッチNd：YAGレーザーです。また、高周波(20Hz)での遠距離の理想的な光源となる小型・軽量のレーザーです。

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