四象限 APD
特徴
- 前面照射フラットチップ
- 高域応答、高ゲイン
- 大きな受信視野
アプリケーション
- レーザー誘導
- レーザーランデブーとドッキング
- レーザー位置決め
光電パラメータ（@Ta=22±3℃）
| アイテム ＃ |
パッケージのカテゴリ |
受光面径(mm) |
スペクトル応答範囲(nm) | 応答性 M=100 λ=1064nm (kV/W)
| 暗電流 M=100、l=1064nm (nA) |
立ち上がり時間 （ns） | 温度係数 Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| 総静電容量 (PF) | 降伏電圧 （五） | 四分円 不一致 (%) | 象限クロストーク (%) | ||
|
典型的な
| 最大。 | 最小。 | マックス |
最大。 |
最大。 | ||||||||
|
GD5241Y |
TO-8 | 4.0 象限分割線 0.1mm |
400～1100 | 40 |
40 |
100 |
3.5 |
3.2 |
4.0 |
350 |
500 |
5 |
5 |
