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InGaAs APD モジュール

InGaAs APD モジュール

モデル: GD6510Y/GD6511Y/GD6512Y

簡単な説明:

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えたインジウム ガリウム ヒ素アバランシェ フォト ダイオード モジュールです。


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

技術パラメータ

製品タグ

特徴

  • 前面照射フラットチップ
  • 高速応答
  • 検出器の高感度

アプリケーション

  • レーザー測距
  • レーザー通信
  • レーザー警告

光電パラメータ@Ta=22±3℃

アイテム #

 

 

パッケージのカテゴリ

 

 

受光面径(mm)

 

 

スペクトル応答範囲

(nm)

 

 

降伏電圧

(五)

応答性

M=10

λ=1550nm

(kV/W)

 

 

 

 

立ち上がり時間

(ns)

帯域幅

(MHz)

温度係数

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

雑音等価電力(pW/√Hz)

 

同心度(μm)

他国での置き換えタイプ

GD6510Y

 

 

TO-8

 

0.2

 

 

1000~1700

30~70

340

5

70

0.12

0.15

≤50

C3059-1550-R2A

GD6511Y

0.5

10

35

0.21

GD6512Y

0.08

2.3

150

0.11

C3059-1550-R08B


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