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四象限 Si PIN

四象限 Si PIN

モデル: GT111/GT112/GD3250Y/GD3249Y/GD3244Y/GD3245Y/GD32413Y/GD32414Y/GD32415Y

簡単な説明:

これは、逆方向で動作し、UV から NIR までの高感度を提供する Si PIN フォトダイオードの 4 つの同じユニットで構成されています。ピーク応答波長は 980nm です。応答性: 1064 nm で 0.5 A/W。


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

技術パラメータ

製品タグ

特徴

  • 低暗電流
  • 高応答
  • 良好な象限の一貫性
  • スモール ブラインド エリア 

アプリケーション

  • レーザー誘導、ターゲティング、追跡
  • 探査装置用
  • レーザーマイクロポジショニング、変位監視、精密測定システム

光電パラメータ(@Ta=25℃)

アイテム #

 

パッケージのカテゴリ

直径

感光面(mm)

スペクトル応答範囲

(nm)

ピーク応答波長

応答性

λ=1064nm

(kV/W)

 

暗電流

(nA)

 

立ち上がり時間

λ=1064nm

RL=50Ω(ns)

 

接合容量

f=1MHz

(pF)

降伏電圧

(五)

 

GT111

TO-8

Ф4

 

 

400~1100

 

 

 

 

980

0.3

5(VR=40V)

15(V)R=40V)

5(VR=10V)

100

GT112

Ф6

7(VR=40V)

20(V)R=40V)

7(VR=10V)

GD3250Y

Ф8

10(V)R=40V)

25(V)R=40V)

10(V)R=10V)

GD3249Y

TO-20

Ф10

15(V)R=40V)

30(V)R=40V)

15(V)R=10V)

GD3244Y

TO-31-7

Ф10

0.4

20(V)R=135V)

20(V)R=135V)

10(V)R=135V)

300

GD3245Y

Ф16

50(V)R=135V)

30(V)R=135V)

20(V)R=135V)

GD32413Y

MBCY026-P6

Ф14

40(V)R=135V)

25(V)R=135V)

16(V)R=135V)

GD32414Y

TO-8

Ф5.3

400~1150

0.5

4.8(V)R=140V)

15(V)R=140V)

4.2(V)R=140V)

300以上

GD32415Y

MBCY026-W7W

Ф11.3

≤20(VR=180V)

20(V)R=180V)

10(V)R=180V)


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