四象限 Si PIN
特徴
- 低暗電流
- 高応答
- 良好な象限の一貫性
- スモール ブラインド エリア
アプリケーション
- レーザー誘導、ターゲティング、追跡
- 探査装置用
- レーザーマイクロポジショニング、変位監視、精密測定システム
光電パラメータ(@Ta=25℃)
アイテム # |
パッケージのカテゴリ | 直径 感光面(mm) | スペクトル応答範囲 (nm) | ピーク応答波長 | 応答性 λ=1064nm (kV/W)
| 暗電流 (nA)
| 立ち上がり時間 λ=1064nm RL=50Ω(ns)
| 接合容量 f=1MHz (pF) | 降伏電圧 (五)
|
GT111 | TO-8 | Ф4 |
400~1100 |
980 | 0.3 | 5(VR=40V) | 15(V)R=40V) | 5(VR=10V) | 100 |
GT112 | Ф6 | 7(VR=40V) | 20(V)R=40V) | 7(VR=10V) | |||||
GD3250Y | Ф8 | 10(V)R=40V) | 25(V)R=40V) | 10(V)R=10V) | |||||
GD3249Y | TO-20 | Ф10 | 15(V)R=40V) | 30(V)R=40V) | 15(V)R=10V) | ||||
GD3244Y | TO-31-7 | Ф10 | 0.4 | 20(V)R=135V) | 20(V)R=135V) | 10(V)R=135V) | 300 | ||
GD3245Y | Ф16 | 50(V)R=135V) | 30(V)R=135V) | 20(V)R=135V) | |||||
GD32413Y | MBCY026-P6 | Ф14 | 40(V)R=135V) | 25(V)R=135V) | 16(V)R=135V) | ||||
GD32414Y | TO-8 | Ф5.3 | 400~1150 | 0.5 | 4.8(V)R=140V) | 15(V)R=140V) | 4.2(V)R=140V) | 300以上 | |
GD32415Y | MBCY026-W7W | Ф11.3 | ≤20(VR=180V) | 20(V)R=180V) | 10(V)R=180V) |