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900nm Si PINフォトダイオード

900nm Si PINフォトダイオード

モデル: GT101Ф0.2/ GT101Ф0.5/ GT101Ф1/ GT101Ф2/ GT101Ф4/ GD3251Y/ GT101Ф8/ GD3252Y

簡単な説明:

逆バイアス下で動作し、UVからNIRまで高感度を提供するSi PINフォトダイオードです。ピーク応答波長は 930nm です。


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

技術パラメータ

製品タグ

特徴

  • 前面照光構造
  • 低暗電流
  • 高応答
  • 高信頼性

アプリケーション

  • 光ファイバー通信、センシング、測距
  • UVからNIRまでの光学検出
  • 高速光パルス検出
  • 産業用制御システム

光電パラメータ(@Ta=25℃)

アイテム #

パッケージのカテゴリ

受光面径(mm)

スペクトル応答範囲

(nm)

 

 

ピーク応答波長

(nm)

応答性(A/W)

λ=900nm

 

立ち上がり時間

λ=900nm

VR=15V

RL=50Ω(ns)

暗電流

VR=15V

(nA)

接合容量 VR=15V

f=1MHz

(pF)

降伏電圧

(五)

 

GT101Ф0.2

同軸タイプII、5501、TO-46、

プラグタイプ

Ф0.2

 

 

4~1100

 

 

930

 

 

0.63

4

0.1

0.8

>200

GT101Ф0.5

Ф0.5

5

0.1

1.2

GT101Ф1

Ф1.0

5

0.1

2.0

GT101Ф2

TO-5

Ф2.0

7

0.5

6.0

GT101Ф4

T0-8

Ф4.0

10

1.0

20.0

GD3251Y

TO-8

Ф6.0

20

10

30

GT101Ф8

T0-8

Ф8.0

20

3.0

70.0

GD3252Y

T0-8

5.8×5.8

25

10

35


 


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