1064nm Si PINフォトダイオード
特徴
- 前面照光構造
- 低暗電流
- 高応答
- 高信頼性
アプリケーション
- 光ファイバー通信、センシング、測距
- UVからNIRまでの光学検出
- 高速光パルス検出
- 産業用制御システム
光電パラメータ（@Ta=25℃）
| アイテム ＃ | パッケージのカテゴリ | 受光面径(mm) | スペクトル応答範囲 (nm) |
ピーク応答波長 (nm) | 応答性(A/W) λ=1064nm
| 立ち上がり時間 λ=1064nm VR=40V RL=50Ω(ns) | 暗電流 VR=40V (nA) | 接合容量 VR=40V f=1MHz (pF) | 降伏電圧 （五）
|
| GT102Ф0.2 | 同軸タイプ II、5501、TO-46 プラグタイプ | Ф0.2 |
4～1100 |
980
| 0.3 | 10 | 0.5 | 0.5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0.5 | 10 | 1.0 | 0.8 | |||||
| GT102Ф1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5.0 | ||||
| GT102Ф4 | TO-8 | Ф4.0 | 20 | 5.0 | 12.0 | ||||
| GD3310Y | TO-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | TO-20 | Ф10.0 | 50 | 20 | 70 |
