900nm Si PINフォトダイオード
特徴
- 前面照光構造
- 低暗電流
- 高応答
- 高信頼性
アプリケーション
- 光ファイバー通信、センシング、測距
- UVからNIRまでの光学検出
- 高速光パルス検出
- 産業用制御システム
光電パラメータ（@Ta=25℃）
| アイテム ＃ | パッケージのカテゴリ | 受光面径(mm) | スペクトル応答範囲 (nm) |
ピーク応答波長 (nm) | 応答性(A/W) λ=900nm
| 立ち上がり時間 λ=900nm VR=15V RL=50Ω(ns) | 暗電流 VR=15V (nA) | 接合容量 VR=15V f=1MHz (pF) | 降伏電圧 （五）
|
| GT101Ф0.2 | 同軸タイプII、5501、TO-46、 プラグタイプ | Ф0.2 |
4～1100 |
930
| 0.63 | 4 | 0.1 | 0.8 | >200 |
| GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101Ф1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | 0.5 | 6.0 | ||||
| GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | TO-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101Ф8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70.0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5.8×5.8 | 25 | 10 | 35 |
