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355nm APD

受光面が大きく、UVを強化したSiアバランシェフォトダイオードです。UVからNIRまで高感度です。

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800nm APD

UVからNIRまで高感度なSiアバランシェフォトダイオードです。ピーク応答波長は 800nm です。

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905nm APD

UVからNIRまで高感度なSiアバランシェフォトダイオードです。ピーク応答波長は 905nm です。

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1064nm APD

UVからNIRまで高感度なSiアバランシェフォトダイオードです。ピーク応答波長は 1064nm です。応答性: 1064 nm で 36 A/W。

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1064nm APD モジュール

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子-光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えた強化されたSiアバランシェフォトダイオードモジュールです。

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InGaAs APD モジュール

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えたインジウムガリウムヒ素アバランシェフォトダイオードモジュールです。

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四象限 APD

これは、UV から NIR までの高感度を提供する Si アバランシェフォトダイオードの 4 つの同じユニットで構成されています。ピーク応答波長は 980nm です。応答性: 1064 nm で 40 A/W。

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4 象限 APD モジュール

これは、微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子 - 光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えた同じ 4 つの Si アバランシェフォトダイオードで構成されています。

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850nm Si PINモジュール

微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路付き850nm Si PINフォトダイオードモジュールです。

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900nm Si PINフォトダイオード

逆バイアス下で動作し、UVからNIRまで高感度を提供するSi PINフォトダイオードです。ピーク応答波長は 930nm です。

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1064nm Si PINフォトダイオード

逆バイアス下で動作し、UVからNIRまで高感度を提供するSi PINフォトダイオードです。ピーク応答波長は 980nm です。応答性: 1064 nm で 0.3 A/W。

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ファイバー Si PIN モジュール

光信号を光ファイバーに入力することで電流信号に変換します。Si PINモジュールは、微弱な電流信号を増幅して電圧信号に変換し、光子 - 光電信号増幅の変換プロセスを実現する前置増幅回路を備えています。

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