800nm APD
特徴
- 前面照射フラットチップ
- 高速応答
- 高APDゲイン
- 低接合容量
- 低ノイズ
アプリケーション
- レーザー測距
- レーザーレーダー
- レーザー警告
光電パラメータ（@Ta=22±3℃）
| アイテム ＃ | パッケージのカテゴリ | 受光面径(mm) | スペクトル応答範囲(nm) |
ピーク応答波長 | 応答性 λ=800nm φe=1μW M=100 (秋冬) | 反応時間 λ=800nm RL=50Ω （ns） | 暗電流 M=100 (nA) | 温度係数 Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| 総静電容量 M=100 f=1MHz （pF）
| 降伏電圧 IR=10μA （五） | ||
| 典型的な | 最大。 | 分 | マックス | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | TO-46 | 0.23 |
400～1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0.05 | 0.2 | 0.5 | 1.5 | 80 | 160 |
| GD5210Y-1-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | 0.05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
