1064nm APD
特徴
- 前面照射フラットチップ
- 高速応答
- 高APDゲイン
アプリケーション
- レーザー測距
- レーザー通信
- レーザー警告
光電パラメータ（@Ta=22±3℃）
| アイテム ＃ | パッケージのカテゴリ | 受光面径(mm) | スペクトル応答範囲 (nm) |
降伏電圧 （五） | 応答性 M=100 λ=1064nm (kV/W)
|
立ち上がり時間 （ns） | 帯域幅 (MHz) | 温度係数 Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| ノイズ等価電力 (pW/√Hz)
| 同心度（μm） | 他国での置き換えタイプ |
| GD6212Y |
TO-8
| 0.8 |
40～1100 | 350～500 | 150 | 8.8 | 40 | 2.2 | 0.15 | ≤50 | C30950 |
| GD6213Y | 200 | 2 | 175 | C30659-1060-R8BH | |||||||
| GD6219Y | 3 | 280 | 7 | 50 | 2.4 | 0.27 | C30659-1060-3A |
