850nm Si PINモジュール
特徴
- 高速応答
- 高感度
アプリケーション
- レーザーヒューズ
光電パラメータ（@Ta=22±3℃）
| アイテム ＃ | パッケージのカテゴリ | 受光面径(mm) | 応答性 | 立ち上がり時間 (ns) | ダイナミックレンジ （デシベル）
| 動作電圧 (五)
| ノイズ電圧 (mV)
| ノート |
| λ=850nm，φe=1μW | λ=850nm | |||||||
| GD4213Y | TO-8 | 2 | 110 | 12 | 20 | ±5±0.3 | 12 | - |
| GD4251Y | 2 | 130 | 12 | 20 | ±6±0.3 | 40 | (入射角: 0°、透過率 830nm~910nm ≥90% | |
| GD4251Y-A | 10×1.5 | 130 | 18 | 20 | ±6±0.3 | 40 | ||
| GD42121Y | 10×0.95 | 110 | 20 | 20 | ±5±0.1 | 25 | ||
| 注: GD4213Y のテスト負荷は 50Ω、その他は 1MΩ です。 | ||||||||
