InGaAs APD モジュール
特徴
- 前面照射フラットチップ
- 高速応答
- 検出器の高感度
アプリケーション
- レーザー測距
- レーザー通信
- レーザー警告
光電パラメータ（@Ta=22±3℃）
| アイテム ＃ |
パッケージのカテゴリ |
受光面径(mm) |
スペクトル応答範囲 (nm) |
降伏電圧 （五） | 応答性 M=10 λ=1550nm (kV/W)
|
立ち上がり時間 （ns） | 帯域幅 (MHz) | 温度係数 Ta=-40℃～85℃ （V/℃）
| 雑音等価電力(pW/√Hz)
| 同心度（μm） | 他国での置き換えタイプ |
| GD6510Y |
TO-8
| 0.2 |
1000～1700 | 30～70 | 340 | 5 | 70 | 0.12 | 0.15 | ≤50 | C3059-1550-R2A |
| GD6511Y | 0.5 | 10 | 35 | 0.21 | − | ||||||
| GD6512Y | 0.08 | 2.3 | 150 | 0.11 | C3059-1550-R08B |
