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四象限PIN単管シリーズ

四象限PIN単管シリーズ

モデル: GT111 / GT112 / GD3250Y / GD3249Y / GD3244Y / GD3245Y / GD32413Y / GD32414Y / GD32415Y

簡単な説明:

このデバイスは、同じユニットを備えた 4 つのシリコン PIN フォトダイオードであり、逆バイアスの条件下で動作し、スペクトル応答範囲は可視光から近赤外まで、ピーク応答波長は 980nm で、1064nm での応答は最大 0.5A に達する可能性があります。 /W.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

技術パラメータ

特徴

応用

製品タグ

光電特性 (Ta22±3)

モデル

GT111

GT112

GD3250Y

GD3249Y

GD3244Y

GD3245Y

GD32413Y

GD32414Y

GD32415Y

包装形態

TO-8

TO-8

TO-8

TO-20

TO-31-7

TO-31-7

MBCY026-P6

TO-8

MBCY026-W7W

感光面サイズ(mm)

Φ4

Φ6

Φ8

Φ10

Φ10

Φ16

Φ14

Φ5.3

Φ11.3

分光感度範囲 (nm)

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1100

400~1150

400~1150

ピーク応答波長 (nm)

980

980

980

980

980

980

980

980

980

応答性 λ=1064nm(A/W)

0.3

0.3

0.3

0.3

0.4

0.4

0.4

0.5

0.5

暗電流 (nA)

5(VR=40V)

7(VR=40V)

10(V)R=40V)

15(V)R=40V)

20(V)R=135V)

50(V)R=135V)

40(V)R=135V)

4.8(V)R=140V)

≤20(V)R=180V)

立ち上がり時間 In = 1064nm RL = 50Ω (ns)

15(V)R=40V)

20(V)R=40V)

25(V)R=40V)

30(V)R=40V)

20(V)R=135V)

30(V)R=135V)

25(V)R=135V)

15(V)R=140V)

20(V)R=180V)

接合容量 f=1MHz(pF)

5(VR=10V)

7(VR=10V)

10(V)R=10V)

15(V)R=10V)

10(V)R=135V)

10(V)R=135V)

16(V)R=135V)

4.2(V)R=140V)

10(V)R=180V)

耐圧(V)

100

100

100

100

300

300

300

300以上

≧250

低暗電流

高い応答性

良好な象限の一貫性

小さな死角

レーザー照準、誘導追跡および探査装置

レーザーマイクロポジショニング、変位モニタリングおよびその他の精密測定システム


  • 前:
  • 次:

  • 低暗電流

    高い応答性

    良好な象限の一貫性

    小さな死角

    レーザー照準、誘導追跡および探査装置

    レーザーマイクロポジショニング、変位モニタリングおよびその他の精密測定システム